英语周报广英语周报八下2021-2022第41期答案

38.(除注明外,每空2分)(1)核移植细胞核和第一极体(3分)(2)内细胞团(基因)表达载体(3)显微注射全能性(4)分子杂交技术

35.【化学—一选修3:物质结构与性质】(15分)GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓和氮化铝都可作为半导体材料。回答下列问题(1)基态As原子的核外电子排布式为[Ar下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是B[Ne]C INe]D.]3s 3p, 3p.(2)8羟基喹啉铝(分子式为C2HAN2O)能用于发光材料及电子传输材料,可由LAH与(8-羟基喹啉)合成。LiAH4中阴离子的空间构型为8-羟基喹啉所含元素中电负姓最大的是(填元素符号),C、NO的杂化方式依次(3)已知下列化合物的熔点化合物AlF3GaFa熔点/℃①表中化合物的熔点产生差异的原因是3C0②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体A2Cl,二聚体A2Cl的结构简式为其中A的配位数为●As(4)GaAs晶胞的结构如图所示,其晶胞参数为apm。①紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的A、Ga原子之间的距离为y,则x4X745②设阿伏加德罗常数的值为NA,则GaAs的密度是(列出计算式)

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